研課題
J-GLOBAL ID:200904037954508374  研究課題コード:6000000921 更新日:2007年05月14日

次世代SOIウエハーの光学的評価の研究

実施期間:0 - 0
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (3件):
研究分野 (1件): その他
研究概要:
高周波デバイスへの適用が期待されているSOS(silicon-on-sapphire)ウエハーと,高移動度チャネルとして活発な研究がなされているバルク歪みSiウエハー及びSOI(silicon-on-insulator)ウエハーについて,非破壊・非接触測定が可能な紫外線励起フォトルミネッセンス法を用いて,結晶性及び面内均一性の評価を行った.その結果,深い準位の発光線の同定及び顕微マッピングでの転位の非破壊検出に成功した.
研究制度: -

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