研課題
J-GLOBAL ID:200904042678435566  研究課題コード:9800044865 更新日:2001年12月11日

透明導電体,錫添加酸化インジウムの低比抵抗化 結晶成長および電気伝導のメカニズムの解明

Low resistivity transparent conducting tin-doped indium oxide films Mechanisms of crystal growth and electrical conduction
実施期間:1997 - 2000
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (1件):
研究概要:
透明で導電性を示すSn添加酸化インジウム(ITO)の低比抵抗化を目的として,その電気伝導や結晶成長のメカニズムを調べる。最近ドーパントとして酸化インジウム母体中にドーピングされているSnの濃度および化学状態がITO膜の電気伝導,結晶成長や薄膜の配向に及ぼす影響が観測されており,SnのITO母相に及ぼす影響,および適正なドーピングを再検討する必要があると考えられる。本研究では特にITO中のSnの濃度とキャリアの易動度を低下させる中性不純物散乱中心密度との関係をメスバウアー分光法を用いて調べる。またSnが酸化インジウムの結晶成長のモードや配向に及ぼす影響などをエピタキシャルITO膜及び多結晶ITO膜を用いて系統的に調べる
キーワード (8件):
酸化すず ,  酸化インジウム ,  結晶成長 ,  電気伝導 ,  配向 ,  ドーピング ,  キャリア散乱 ,  薄膜
研究制度: 経常研究
研究予算: 1997年度: 1,800(千円)

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