研課題
J-GLOBAL ID:200904048617721440  研究課題コード:0350013642 更新日:2005年11月21日

鉄-シリコン系半導体薄膜の開発に関する研究

実施期間:1999 - 2005
研究概要:
シリコン基板上への結晶成長が可能で、光-電子高変換効率が期待される鉄シリサイド薄膜を用いた、発光・受光デバイスの開発のための要素技術開発に関して検討を行う。
キーワード (3件):
結晶成長 ,  半導体薄膜 ,  光-電子変換材料
研究制度: -

前のページに戻る