研課題
J-GLOBAL ID:200904048802919087  研究課題コード:2460 更新日:2013年10月07日

電界効果型ナノ構造光機能素子の集積化技術開発

実施期間:2002 - 2008
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (1件):
研究概要:
本研究課題では、不純物のドープという欠陥誘起を伴う方法に代わり、電界効果によるクリーン電荷制御技術を用いて、構成層、表面・界面、チャネルのナノサイズ制御をベースとする新エネルギー利用システムの構築を掲げている。これまでの研究では、酸化物およびπ共役分子材料について、機能開発の舞台となる表面・界面、薄膜成長のナノ構造技術を重点に開発を進め、例えば酸化チタン基板の原子レベル表面処理などの重要な要素技術の確立に成功している。これらの要素技術を効果的に用いて、エネルギーの変換・高度利用につながる新現象の発見や光触媒機能、磁性機能の現象解明、新機能デバイスの開発を進めている。今年度得られた主要な成果として、(1)単一分子バッファー層を用いた高移動度トランジスタの実現「鯉沼・松本G」、(2)半導体IR レーザーを用いたレーザーMBE 法の開発「鯉沼・松本G」、(3)π共役半導体の分子層エピタキシーを実証するRHEED 振動の観察「鯉沼・松本G」、(4)ルチル単結晶に続くアナターゼ薄膜型二酸化チタン電界効果トランジスタの開発「松本・鯉沼G」、(5)光触媒作用における異常膜厚効果の発見と量子化モデルの提唱「松本G」、(6)LED 実用化に向けたレーザー加熱型MOCVD 装置の開発「角谷・鯉沼G」、(7)有機・分子エレクトロニクスを目指した超平坦化ナノ電極基板の開発「和田G」、(8)極性(p,n)制御と新機能探索を目指した新規有機分子の合成「和田G・福元G」が挙げられる。平成18年度は、基板表面処理技術、新材料合成、新機能基板、新方式製膜システムの開発などナノ構造制御の要素技術開発フェーズから、実際に要素技術を組み合わせたデバイス技術へ移行する過渡期にあたり、これに関連する成果が得られている。最終年度の見通しとして、エネルギーの高度利用に向けたデバイス開発と実証に力点をおいた研究を進めていく。
研究制度: ナノテクノロジー分野別バーチャルラボ
研究所管省庁:
文部科学省
研究所管機関:
独立行政法人科学技術振興機構
研究予算: 0(千円)
報告書等 (2件):
上位研究課題 (1件):

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