研課題
J-GLOBAL ID:200904049487378028  研究課題コード:0350011469 更新日:2004年11月26日

酸化物系半導体薄膜の作製技術の開発

Development of preparation technique of oxide series semiconductor thin film
実施期間:2002 - 2003
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (2件):
研究概要:
透明導電性を有する代表的な酸化物系材料(ITO,SnO2,ZnO)の電気特性はいずれもn型半導体を示し,透明導電性を有するp型半導体が実現できれば,透明太陽電池などの透明電子回路の作製が可能となる。一方,透明導電膜として最も使用されているITOは,構成元素のインジウムが希少金属のため高価であり,近年安価で環境に優しい透明導電膜の開発が強く望まれている。そこで,本研究では透明導電性p型酸化物としてCuScO2(CSO)を,n型酸化物としてZn2SnO4(ZTO)を取り上げ,それらの高品質薄膜の作製を試みる。
キーワード (4件):
レーザアブレーション ,  スパッタリング ,  酸化物薄膜 ,  透明導電膜
プロジェクト実施機関 (1件):
  • (E354000000)
研究制度: -

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