研課題
J-GLOBAL ID:200904050817882680  研究課題コード:9800036996 更新日:2003年01月24日

研削のシリコンウェーハの表面粗さとダメージ領域

Roughness of the ground silicon wafers and the damage region near the surface
実施期間:1995 - 2000
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (1件):
研究概要:
半導体集積回路の高集積化と小型化に伴い基板であるシリコンウェーハの平坦化と表面領域に欠陥のないことが望まれている。本研究はインゴットから切り出して後の機械研削過程を調べている。この研削過程が最終仕上げの際の研磨量をきめるので重要である。断面TEM法で表面の外形をトレースし離散型フーリエ変換で表面粗さを評価する方法を開発した。ダメージ領域の評価法を検討している
キーワード (7件):
けい素 ,  ウエハ【IC】 ,  研削 ,  表面粗さ ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  損傷
研究制度: 経常研究
研究予算: 1996年度: 2,500(千円)

前のページに戻る