研課題
J-GLOBAL ID:200904051073558762  研究課題コード:9800013057 更新日:2006年03月15日

気相結晶成長法による無機化合物薄膜の合成・構造・物性相関に関する研究

Study of synthesis and structure of thin inorganic compound films by various vapor phase crystal growing methods and their effects on the characteristics
実施期間:1991 - 1993
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (4件):
研究概要:
真空同時蒸着法および反応性スパッタリング法を適用し、遷移金属シリサイド等の薄膜形成条件を確立すると共に、形成初期過程(微粒子・不連続膜態)での特異現象を確認し、非平衡相の形成の可能性を検討する。また、結晶粒の粒径を制御した状態での連続薄膜形成条件を探索し、遷移金属シリサイドの持つ半導体的性質と薄膜のマクロ組織との相関を検討する。引続き、遷移金属成分の多成分化や、膜作製時における酸素等の導入を行い、偏析を含む組織や酸化物相の分散した組織を形成し、物性変化との対応について検討を加える
キーワード (10件):
気相成長 ,  真空蒸着 ,  化学蒸着 ,  薄膜成長 ,  結晶粒 ,  粒径 ,  偏析 ,  無機化合物 ,  反応性スパッタリング ,  遷移金属
研究制度: 経常研究
研究所管省庁:
経済産業省
研究予算: 1993年度: 1,200(千円)

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