研課題
J-GLOBAL ID:200904059178550636  研究課題コード:9800044182 更新日:2003年12月15日

CVD法による機能性薄膜の作製と評価

CVD growth of functional thin films and its characterizations
実施期間:1997 - 1997
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (4件):
研究概要:
対象とする機能性薄膜は,PLZT系強誘電体とZnSe系半導体である。主に次のテーマについて研究を行う。1)MOCVD法による1GビットクラスULSIメモリー用の強誘電体薄膜の作製と強誘電性の評価,2)プラズマCVDによる電波障害防止用ボード,光学薄膜等の作製及び,ポリSiエッチング,3)MOCVD法によるp型ZnSe膜の作製と光学的電気的評価,4)X線による薄膜結晶構造の評価と相転移に関する検討
キーワード (10件):
MOCVD ,  プラズマCVD ,  誘電体薄膜 ,  半導体薄膜 ,  PLZT ,  セレン化亜鉛 ,  蒸着膜 ,  結晶構造 ,  相転移 ,  強誘電性
研究制度: 経常研究
研究予算: 1997年度: 4,180(千円)

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