研課題
J-GLOBAL ID:200904060374793367  研究課題コード:9800042476 更新日:2007年05月14日

宇宙用半導体デバイス界面の耐放射性・耐熱性の研究

Study on radiation resistance and heat resistance of interface of semiconductor devices for aerospace electronics
実施期間:1995 - 2001
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (3件):
研究分野 (1件): その他
研究概要:
1)これまでに開発したSOI-SRAMの放射線耐性をさらに強化するために,mixed-modeデバイスシミュレーターを用いて新たな回路を設計した。設計に基づき試作したSOI-SRAMはラッチアップフリーであるとともに,そのSEU(シングル・イベント・アップセット)のしきい値LETは設計どおり45MeV/(mg/cm2)を有するものであることを確認した。2)MOSデバイスの放射線耐性を決定するSiO2/Si界面の電荷トラップ密度を評価するために開発した新手法を用いて,最先端MOSデバイスヘの適用が検討されているSiO2膜形成プロセスを検討した。特に長時間にわたりMOSに放射線を照射した時のSiO2膜中電荷トラップ密度の変化を定量的に評価した。
キーワード (5件):
耐放射線性 ,  半導体素子 ,  超小形回路技術 ,  人工衛星 ,  耐熱性
研究制度: 経常研究
研究所管省庁:
文部科学省

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