研課題
J-GLOBAL ID:200904060524954321  研究課題コード:6000000708 更新日:2007年05月15日

セミソリッドプロセスによる球状Si単結晶化の試み

実施期間:0 - 0
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (4件):
研究分野 (1件): その他
研究概要:
Si単結晶インゴットの大口径化から脱却し,表面積優位の観点から直径1mm程度の球状Si単結晶の育成が近年注目を浴びている.球状単結晶は主にドロップチューブ法により育成が試みられているが,完全溶融状態で噴射するため融液は大きく過冷し,多結晶化してしまう.これまで低過冷度(<数10K)では,結晶性の良い試料が得られることから,低過冷度で結晶化させる外的制御法を模索してきたが,再現性ある手法は見つかっていない.今回,“過冷度の外的制御”から離れ“過冷しない状態で噴射”させることに着目した.本研究ではセミソリッドプロセスを適応し,融点での固液共存状態で結晶を含んだ液滴を噴射させることにより球状単結晶化を試みた.固液共存状態での噴射により結晶性の良い試料の割合が,14から31%に増加したことから,セミソリッドプロセスの有効性が理解できる.
研究制度: -

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