研課題
J-GLOBAL ID:200904063633622184  研究課題コード:9800016766 更新日:2004年12月10日

微小重力下での半導体結晶成長に関する研究

Crystal growth of semiconductors under micro-gravity
実施期間:1990 - 2005
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (2件):
研究概要:
微小重力環境下での半導体の結晶成長機構を実験と数値解析により調べ高品質な結晶成長条件を確立する。結晶溶解,結晶成長の面方位依存性を明らかにするとともに重力が成長に及ぼす効果を調べる
キーワード (6件):
結晶成長 ,  数値計算 ,  半導体 ,  微小動 ,  面方位依存症 ,  宇宙
プロジェクト名: Pg及び1g条件下での三元半導体の溶解と結晶成長律の研究
プロジェクト実施機関 (1件):
  • (1)静岡大学電子工学研究所,(2)静岡大学工学部 物質工学科,(3)静岡理工科大学,(4)早稲田大学,応用化学科,(5)九州大学機能研究所,(6)丸紅(株),(7)ヴィクトリア大学(カナダ),(8)ケベック大学(カナダ),(9)中国科学院半導体研究所,(10)欄州物理学研究所,(11)中国空間技術研究所,(12)中国長城工業
プロジェクト代表研究者 (1件):
  • 熊川 征司
研究制度: 経常研究
研究予算: 1997年度: 2,000(千円)

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