研課題
J-GLOBAL ID:200904068119239152  研究課題コード:9800018064 更新日:2008年06月11日

ホットウォール法による素子の開発

Development of thermistor element by hot wall method
実施期間:1992 - 1994
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (3件):
研究分野 (1件): その他
研究概要:
ホットウォールエピタキシー装置により,酸化アルミニウム等の金属酸化物より高温特性(800°C),高温安定性のよいSiC及びダイヤモンド薄膜を作製し,高温用サーミスタ素子の開発を行う。併せて,HWE法によるSiC膜とスパッタリングによるそれとを比較し,膜質の評価を行う。静岡大学工学部,(株)クラベとの共同研究で行う
キーワード (7件):
サーミスタ ,  エピタクシー ,  薄膜成長 ,  炭化けい素 ,  ダイヤモンド ,  壁面 ,  加熱
研究制度: 経常研究
研究予算: 1993年度: 0(千円)

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