研課題
J-GLOBAL ID:200904068670279530  研究課題コード:9800046406 更新日:1998年04月22日

高エネルギーイオン照射によるCeO2エピタキシャル膜の改質

Study on reforming of CeO(2) epitaxial film with high-energy ion irradiation
実施期間:1995 - 2000
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (1件):
研究概要:
数MeVの重イオンをCeO2エピタキシャル膜へ照射し,結晶性の改善を図るとともにそのメカニズムの検討を行っている。結晶改善のメカニズムにはイオンによる電子の非弾性的な励起が大きな役割を果たしてきていることが明らかになっている
キーワード (5件):
イオン照射 ,  酸化セリウム ,  薄膜 ,  結晶 ,  改良
研究制度: 経常研究
研究予算: 1998年度: 0(千円)

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