研課題
J-GLOBAL ID:200904068681832354  研究課題コード:9800003628 更新日:1994年11月30日

化合物半導体中の欠陥の制御と応用

Deep levels in compound semiconductors
実施期間:1971 - 1993
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (1件):
研究概要:
1)GaAs中の深い準位と半絶縁性結晶の評価,2)反応性イオンエッチングプロセスによりGaAs表面に誘起される欠陥,3)GaAs中の結晶欠陥に由来する光学遷移の遠赤外光の吸収による測定,について研究する。
キーワード (6件):
化合物半導体 ,  ひ化ガリウム ,  RIE【エッチング】 ,  格子欠陥 ,  遠赤外線 ,  光吸収
研究制度: 経常研究
研究予算: 1993年度: 0(千円)

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