研課題
J-GLOBAL ID:200904071690689670  研究課題コード:9800009486 更新日:1997年01月21日

強誘電性ふっ化物を用いたGaAs新機能デバイスの研究

Studies on GaAs functional devices using ferroelectric fluoride films
実施期間:1989 - 1998
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (4件):
研究概要:
分子線エピタキシー法を用いて,BaMgF4などの強誘電性絶緑性ふっ化物薄膜を超高真空中でGaAs基板上に堆積し,デバイスを製作することを目的としている。これまでの研究より,GaAs基板上にBaMgF4膜を500°C程度の温度で堆積すると,自発分極軸が基板表面に対して約30°の角度で立った膜が形成できることが明らかになっている
キーワード (10件):
MIS構造 ,  エピタクシー ,  分子ビーム ,  マグネシウム化合物 ,  ふっ化バリウム ,  基板 ,  ひ化ガリウム ,  接触電位差 ,  極高真空 ,  半導体
研究制度: 経常研究
研究予算: 1996年度: 3,000(千円)

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