研課題
J-GLOBAL ID:200904088583950790  研究課題コード:9910002451 更新日:2003年11月04日

低エネルギーイオンビーム製膜技術の開発

Low energy ion beam deposition
実施期間:1996 - 2002
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (2件):
研究概要:
最近,極低エネルギー領域(数eV~数100eV)でのイオンビームデポジションに多くの注目が集まっている。それは,デポジションされた薄膜が成長する際の結晶配向性が,イオンビームの運動エネルギーと運動量に依存しており,その効果の中間点が数eV~100eVにあるといわれているからである。本研究施設では,上述の様なイオンと固体表面の相互作用について,その物理過程の解明に資するような知見を得ることを目的に,極低エネルギー(数eV~数100eV)のイオンビームデポジション装置を開発した。特に,金属イオンをデポジションするため,フリーマン型イオン源用にスパッタリングターゲットを開発し,様々な固体物質をデポジションできるようにしている。現在は,チタン,SiC等の製膜過程について研究を行っている。
キーワード (8件):
イオンビーム ,  低エネルギー ,  金属イオンビーム ,  製膜 ,  チタン ,  SiC ,  運動量 ,  結晶配向性
研究制度: 経常研究
研究予算: 1998年度: 3,500(千円)

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