研課題
J-GLOBAL ID:200904089107296107  研究課題コード:9800021180 更新日:2003年12月15日

イオン・プラズマによる薄膜デバイス化の基礎的研究

Basic research on thin film devices prepared by ion and plasma processing technology
実施期間:1993 - 1995
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (9件):
研究概要:
電子デバイスの超小型化,高感度化,高精度化を図るためには,シリコン基板にダメッジを与えない,内部歪の少ない高品質な薄膜作製と,その薄膜をダメッジの無いように加工する微細加工技術が必要である。イオンやプラズマでは高エネルギー粒子による制御性の良い微細加工が可能であり,デバイス作製技術として優れているが,ダメッジ等に難点もある。そこで低エネルギーイオンを利用した薄膜作製と加工技術,及びデバイス作製を研究する。本研究には3サブテーマが含まれる。1)低エネルギーイオンアシストIBSによるITO作製,2)CMOSIC作製技術におけるイオン応用,3)Y系超電導薄膜による赤外線センサ開発
キーワード (10件):
薄膜 ,  イオン ,  プラズマ ,  微細加工 ,  CMOS構造 ,  赤外線 ,  センサ ,  プリント基板 ,  けい素 ,  損傷
研究制度: 経常研究
研究予算: 1995年度: 20,000(千円)

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