研課題
J-GLOBAL ID:200904089481026350  研究課題コード:9800037623 更新日:2001年03月30日

減圧CVD法によるハードエレクトロニクス材料の高品位積層化技術

Deposition of hard electronics materials by LPCVD
実施期間:1996 - 1999
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (1件):
研究概要:
結晶性の優れた尚且つ表面平坦性に優れた単結晶SiCと3-5族窒化物 薄膜を得るために,減圧CVD法を用いて成長パラメータについて調べる。
キーワード (7件):
炭化けい素 ,  窒化物 ,  蒸着膜 ,  平坦性 ,  化学蒸着 ,  結晶成長 ,  積層構造
研究制度: 経常研究

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