減圧CVD法によるハードエレクトロニクス材料の高品位積層化技術

Deposition of hard electronics materials by LPCVD

実施期間：1996 - 1999
実施機関 (1件)：
実施研究者（所属機関） (1件)：
研究概要：

結晶性の優れた尚且つ表面平坦性に優れた単結晶SiCと3-5族窒化物薄膜を得るために,減圧CVD法を用いて成長パラメータについて調べる。

キーワード (7件)：

炭化けい素 , 窒化物 , 蒸着膜 , 平坦性 , 化学蒸着 , 結晶成長 , 積層構造

研究制度：経常研究

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