研課題
J-GLOBAL ID:200904094820231663  研究課題コード:9800022312 更新日:2004年12月10日

溝付き基板上へのヘテロエピタクシー

Hetero-epitaxy on patterned substrates
実施期間:1992 - 1997
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (3件):
研究概要:
溝を形成させた基板上へIII-V族混晶薄膜を液相成長法とホットウォール法により成長させ,溝構造が格子緩和に及ぼす効果を調べる。また数値解析により,ミスフィット転位の少ない最適な溝構造を解析する
キーワード (8件):
,  基板 ,  固溶体 ,  金属薄膜 ,  液相成長 ,  数値計算 ,  不整合転位 ,  気相成長
研究制度: 経常研究
研究予算: 1997年度: 500(千円)

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