研課題
J-GLOBAL ID:200904097241786865  研究課題コード:0250006065 更新日:2005年12月08日

炭化硅素結晶の低温液相成長

Low temperature solution growth of silicon carbide crystals
実施期間:1999 - 2005
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (1件):
研究概要:
SiC結晶は広い禁制帯幅をもつ半導体であり,可視発光だけでなく電力制御への応用が期待できる。しかし,デバイス作製の観点からは二つの基本的な問題がある。一つはその結晶成長温度が1500°Cを越える高温を要することであり,二つ目は結晶多形の制御である。こうした問題を解決するために新しい液相成長技術を開発し,3C-SiC結晶層を6H-SiC基板上に950°Cの低温で成長させることに成功した。
キーワード (4件):
炭化硅素 ,  結晶成長 ,  液相エピタキシャル成長 ,  低温成長
プロジェクト実施機関 (1件):
  • (0256006000)
研究制度: 経常研究
研究所管省庁:
文部科学省

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