研課題
J-GLOBAL ID:200904099309518140  研究課題コード:9800042391 更新日:2003年12月15日

低速電子衝撃により生成するプラズマを用いるシリコン酸窒化膜の低温形成

Low temperature formation of silicon oxynitride layers by use of plasma generated by low energy electron impact
実施期間:1996 - 1997
実施機関 (1件):
実施研究者(所属機関) (1件):
研究概要:
シリコン酸窒化膜は,緻密であるためボロンの拡散を防ぐことができ,界面特性も優れているため,二酸化シリコン膜の代わりに金属-酸化物-半導体(MOS)デバイスのゲート絶縁膜として用いることが期待されている。本研究では,二酸化シリコン膜を低速電子衝撃によって生成した窒素などのプラズマに暴露することによって窒化してシリコン酸窒化膜を700°C以下の低温で形成し,それをゲート絶縁膜に応用することを目指す
キーワード (5件):
けい素 ,  窒化物 ,  絶縁膜 ,  MOS構造 ,  電子照射
研究制度: 経常研究
研究予算: 1997年度: 1,000(千円)

前のページに戻る