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J-GLOBAL ID：200909036651154466   JST資料番号 (フル)：E0503BAP   JST資料番号：E0503B

Semiconductor Science and Technology

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E0503B
ISSN (2件)： 0268-1242 ,  1361-6641
CODEN (1件)： SSTEET
資料内容種別：一般記事, メタデータのみ, 年12回
刊行頻度： 年12回
発行国：イギリス(GBR)
本文使用言語 (1件)： 英語(EN)
JST資料分類 (3件)： 電子物性、磁性、光物性 (BM) ,  電子工学 (NC) ,  物質の構造、放射線物理 (BK)
出版団体名： IOP Publ.
出版地：*
会議 (9件)：
  • International SiGe Technology and Device Meeting, 3rd, Princeton, N.J., 20060515 - 20060517
  • International Workshop on Surface and Interference of Mesoscopic Devices, 2nd, Maui, Hawaii, 19971207 - 19971212
  • International Conference on Hot Carriers in Semiconductors, 8th, Oxford, 19930816 - 19930820
  • HCIS-8
  • International Workshop (on) Mercury Cadmium Telluride Characterization, Danvers, Mass., 19921015 - 19921016
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