研究者
J-GLOBAL ID:201001002247205880   更新日: 2024年04月14日

角田 功

ツノダ イサオ | Tsunoda Isao
所属機関・部署:
職名: 准教授
研究分野 (2件): 結晶工学 ,  電気電子材料工学
研究キーワード (2件): 結晶成長 ,  半導体工学
競争的資金等の研究課題 (2件):
  • 2017 - 2020 低温(≦150°C)成長法によるIV族半導体結晶の面方位制御
  • 2014 - 2016 触媒成長を用いたIV族半導体結晶形成プロセスの極低温化
論文 (60件):
  • Toyonori Matsuda, Isao Tsunoda, Shinichiro Koba, Yu Oshiro, Hiroyuki Odagawa. Polarization Property Associated with Surface Plasmon Resonance in a Palladium Thin-Film Coated Aluminum Grating in a Conical Mounting and Its Application to Hydrogen Gas Detection. Sensors. 2024. 24. 6. 1990-1990
  • Kenichiro Takakura, Kensuke Matsumoto, Kousei Tateishi, Masashi Yoneoka, Isao Tsunoda, Shigekazu Suzuki, Shinji Kawatsuma. Assessment of Radiation Tolerance of Flash Memory by γ-Ray Irradiation. J. Robotics Mechatronics. 2024. 36. 1. 88-94
  • Atsuki Morimoto, Towa Hirai, Ayato Takazaiku, Yo Eto, Hajime Kuwazuru, Kenichiro Takakura, Isao Tsunoda. Enhancement of Mg-induced lateral crystallization of amorphous germanium on an insulating substrate by two-step annealing. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 2. 02SP50-02SP50
  • Toyonori Matsuda, Hiroyuki Odagawa, Isao Tsunoda,Masanori Nagata, Takao Kawakita. Investigation into Ethanol Concentration Changes of Ethanol-Water Solution Using Polarization Property Associated with Surface Plasmon Resonance in Aluminum Grating in Conical Mounting. Sensors and Materials. 2023. 35. 11. 3551-3551
  • Kouki Fukushima, Naoki Mizunuma, Tatsuya Uematsu, Kyoko Shimizu, Takehiro Ota, Isao Tsunoda, Masashi Yoneoka, Haruhiko Udono, Kenichiro Takakura. Study of deep levels in the Mg2Si grown by vertical Bridgeman method. Japanese Journal of Applied Physics. 2022. 62. SD. SD1012-SD1012
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MISC (374件):
  • 角田功, 高倉健一郎. 絶縁基板上における非晶質Ge薄膜の金属誘起横方向成長. 電子情報通信学会技術研究報告(Web). 2023. 123. 8(SDM2023 1-17)
  • 森本敦己, 平井杜和, 高細工彩斗, 小嶺龍生, 高倉健一郎, 角田功. 非晶質Ge/Mg/SiO2積層構造の固相成長. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 70th
  • 森本敦己, 阿部陸斗, 平井杏奈, 平井杜和, 高倉健一郎, 角田功. 非晶質Ge薄膜のMg誘起横方向成長におけるMg拡散量の評価. 電子情報通信学会技術研究報告(Web). 2022. 122. 8(SDM2022 1-13)
  • 森本敦己, 阿部陸斗, 平井杏奈, 平井杜和, 高倉健一郎, 角田功. 非晶質Ge/SiO2のMg誘起横方向成長に及ぼすMg拡散の影響. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 69th
  • Low temperature formation of high-quality crystalline Ge (111) by improving Au-catalyst crystallinity. Technical Digest of the 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology. 2021. C02-03-12
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特許 (1件):
  • ゲルマニウム層つき基板の製造方法及びゲルマニウム層付き基板
学歴 (1件):
  • - 2004 九州大学 大学院システム情報科学府 電子デバイス工学専攻
学位 (1件):
  • 博士(工学) (九州大学)
経歴 (4件):
  • 2012/04 - 現在 熊本高等専門学校 情報通信エレクトロニクス工学科 准教授
  • 2010/04 - 2012/03 熊本高等専門学校 情報通信エレクトロニクス工学科 助教
  • - 2010/03 公益財団法人福岡県産業・科学技術振興財団 研究員
  • - 2008/03 財団法人くまもとテクノ産業財団 電子応用機械技術研究所 研究員
所属学会 (2件):
電子情報通信学会 ,  応用物理学会
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