研究者
J-GLOBAL ID：201001043229606930   更新日: 2020年08月31日

中村 徹

ナカムラ トオル | Nakamura Tohru
研究分野 (3件)： ナノマイクロシステム ,  ナノ材料科学 ,  電子デバイス、電子機器
研究キーワード (6件)： SiCバイポーラトランジスタ ,  GaN電界効果トランジスタ ,  ワイドバンドギャップ半導体電子デバイス ,  SiC Bipolar Devices ,  Double Ion Implanted ,  Ion Implanted GaN HEMTs
競争的資金等の研究課題 (8件)：
  • 2006 - イオン注入GaN-HEMTの1/f雑音に関する研究
  • 2006 - 1/f noise characteristics of GaN-HEMT
  • 2005 - SiC バイポーラトランジスタの高性能化
  • 2005 - SiC Bipolar Transistor
  • 2004 - イオン注入GaNーHEMTの研究
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MISC (377件)：
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特許 (52件)：
  • 半導体集積回路装置
  • 半導体不揮発性メモリ
  • 差動増幅回路
  • 半導体集積回路装置
  • 半導体装置
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書籍 (11件)：
  • 平成16年度 半導体製造装置のライフサイクルアセスメントに関する調査・研究等報告書 第3章「LCAの観点での、半導体製造装置の消費エネルギー調査研究」
    (社)日本半導体装置協会 2005
  • 電子情報通信レクチャーシリーズD-18 「超高速エレクトロニクス」 電子情報通信学会編
    コロナ者 2003
  • Electronics for Ultra-High-Speed devices
    Corona Publishing Co. Ltd. 2003
  • 超LSI技術 16デバイスとプロセス「第3章超高速バイポーラデバイスの現状と将来」
    半導体研究36巻(西沢潤一編)工業調査会 1992
  • Ultra Large Scale Integration No.11, Chaper 16, Future Perspective of High Speed Bipolar Technology
    1992
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講演・口頭発表等 (4件)：
  • イオン注入GaN-HEMTの高温動作
    (第20回高温エレクトロニクス研究会 2010)
  • イオン注入を用いたGaNデバイスの高効率化
    (GaNデバイスの最前線★徹底解説 2009)
  • Ion Implantation into GaN & Advanced GaN HEMT Devices
    (Special Lecture Program for Distinguished Foreign Scholar at Hangyang University 2009)
  • Ion Implantation into GaN & Advanced GaN HEMT Devices
    (Special Lecture Program for Distinguished Foreign Scholar at Hangyang University 2009)
Works (1件)：
  • 高耐圧GaN縦型pn接合ダイオードの開発・評価
    2014 - 2015
学歴 (2件)：
  • - 1975 早稲田大学 理工学研究科 電気工学
  • - 1975 早稲田大学
学位 (1件)：
  • 工学博士 (早稲田大学)
経歴 (13件)：
  • 1996 - 1998 :早稲田大学 兼任講師(大学院理工学研究科修士課程日立電子材料担当)
  • 1996 - 1998 :Part-time Lecturer, Dept of ECE, Waseda University
  • 1995 - 1998 :法政大学 兼任講師(工学部電気電子工学科集積回路工学担当)
  • 1995 - 1998 :Part-time Lecturer, Dept of EECE, Hosei University
  • 1990 - 1998 :法政大学 兼任講師(大学院工学研究科修士課程、集積回路特論担当)
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委員歴 (3件)：
  • 1999/09 - 2003/08 電気学会電子デバイス技術委員会超高速デバイスとそのシステム応用調査専門委員会 委員長
  • 1997/09 - 2002/08 米国電気電子学会(IEEE)TOPICAL WORKSHOP ON HETEROSTRUCTURE MICROELECTRONICS 論文委員
  • 1993/12 - 1999/12 米国電気電子学会(IEEE)論文誌電子デバイス(TRANSACTION ON ELECTRON DEVICES) 編集者
受賞 (6件)：
  • 1999 - 米国電気電子学会(IEEE)Fellow認証
  • 1999 - IEEE Fellow
  • 1997 - 平成9年度東京都発明研究功労表彰
  • 1997 - Tokyo Governor's Award - Distinguished Inventor, in 1997
  • 1991 - 発明奨励賞(社団法人発明協会より「超高速バイポーラデバイス技術」に対して授与。)
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所属学会 (18件)：
米国電気電子学会(IEEE)国際電子デバイス会議(IEDM)集積回路分科委員 ,  米国電気電子学会(IEEE)論文誌電子デバイス(TRANSACTION ON ELECTRON DEVICES) ,  米国電気電子学会(IEEE)バイポーラ・BiCMOS回路技術会議(BCTM)デバイス技術分科会 委員 ,  電気学会電子デバイス技術委員会超高速デバイスと応用調査専門委員会 委員 ,  米国電気電子学会(IEEE)TOPICAL WORKSHOP ON HETEROSTRUCTURE MICROELECTRONICS ,  電気学会電子デバイス技術委員会超高速デバイスとそのシステム応用調査専門委員会 ,  電気学会電子デバイス技術委員会超高速デバイス調査専門委員会 委員 ,  ゲストエディター(IEEE Transaction on Electron Devices) ,  Subcommittee member of the IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM) ,  Editor for IEEE Transaction on Electron Devices ,  Subcommittee member of the Bipolar &BiCMOS Circuits and Technology Meeting(BCTM) ,  Subcommittee member of the IEEE Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics ,  2001 ,  No. 11 ,  Vol. 48 ,  Special Issue on Bipolar Transistor Technology ,  IEEE Transaction on Electron Devices ,  Guest Editor
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