- 2023 - 2028 IV族半導体量子構造におけるスピンコヒーレンス工学の開拓
- 2021 - 2026 フォトニクスとのアナロジーで拓くサーマルフォノンエンジニアリング
- 2021 - 2024 (110)面を表面に有する歪みシリコン薄膜の酸化膜/半導体界面準位に関する研究
- 2019 - 2024 ゲルマニウムスピンMOSFETの実証
- 2019 - 2024 フォノン・電子輸送制御したDirac電子超格子の創製とSi系熱電デバイス開発
- 2020 - 2023 多孔質ガラス表面上のGe量子構造創製と光電子融合素子への応用
- 2019 - 2022 Development of rare-earth oxide based optical amplifiers and lasers integrated on Si by using magnetic light-matter interactions
- 2019 - 2022 光暗号通信へ向けたゲルマニウム円偏光LEDの創製
- 2018 - 2021 イオン注入法による歪みSi/SiGe/Si(110)構造の欠陥と表面形状の制御
- 2016 - 2020 純スピン流伝導の光・電界制御
- 2016 - 2020 新ヘテロナノ構造を用いたフォノン・キャリア波動制御に基く高性能Si熱電材料の創製
- 2014 - 2017 超高移動度一軸歪みゲルマニウム・チャネルデバイスの開発
- 2013 - 2017 ナノドットの一次元コヒーレント結合構造を用いたレアメタルフリー高性能熱電材料開発
- 2013 - 2016 歪みゲルマニウム二次元正孔ガスを用いた量子ドット単正孔デバイス開発
- 2013 - 2016 縦型ショットキースピントランジスタの創製
- 2012 - 2016 イオン注入による欠陥制御を利用した圧縮歪みシリコンの実現と高正孔移動度素子応用
- 2009 - 2012 革新的ゲルマニウム光電子融合素子の実証とそのシミュレーション技術開発
- 2010 - 2011 面方位と異方性歪みを同時制御した革新的ゲルマニウムチャネル開発
- 2009 - 2011 光電子分光法による高誘電率ゲート絶縁膜/歪GeおよびSiチャネルの界面構造の決定
- 2007 - 2008 シリコンゲルマニウム系ヘテロ構造における選択的歪み制御技術開発
- 2007 - 2008 Developement of selective strain controlling technology for Si/Ge hetero structures
- 2006 - 2007 マイクロ波直接加熱による高移動度多結晶シリコン・ゲルマニウム薄膜作製技術の開発
- 2004 - 2005 新IV族半導体ヘテロ構造の電気伝導特性とデバイス応用に関する研究
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