研究者
J-GLOBAL ID：201001062393886034   更新日: 2025年11月30日

澤野 憲太郎

サワノ ケンタロウ | Sawano Kentarou
所属機関・部署：
東京都市大学

東京都市大学 について


その他の所属（所属・部署名・職名） (1件)：
ホームページURL (1件)： https://www.comm.tcu.ac.jp/nano_slabo/
研究分野 (2件)： 結晶工学 ,  応用物性
研究キーワード (2件)： 半導体デバイス ,  Semiconductor device
競争的資金等の研究課題 (27件)：
  • 2024 - 2029 シリコンゲルマニウム光スピントロニクスの開拓
  • 2023 - 2028 光子-スピン量子状態変換に基づく半導体スピン量子ビットの革新的量子中継技術の創製
  • 2023 - 2028 IV族半導体量子構造におけるスピンコヒーレンス工学の開拓
  • 2023 - 2027 シリセン原子操作による異次元フォノン・電子系の構築と高性能薄膜熱電デバイスの創製
  • 2021 - 2026 フォトニクスとのアナロジーで拓くサーマルフォノンエンジニアリング
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論文 (284件)：
  • Shimon Watahiki, Shuhei Kusumoto, Astuya Yamada, Sora Obinata, Shinya Yamada, Shuya Kikuoka, Michihiro Yamada, Kentarou Sawano, Kohei Hamaya. Observation of room-temperature magnetoresistance effect in Co2Fe(Al,Si)/Ge/Co2FeSi vertical spin-valve devices on Si. Materials Science in Semiconductor Processing. 2025. 199. 109809-109809
  • K. Oki, S. Ueda, T. Usami, S. Fujii, S. Kikuoka, K. Yamamoto, K. Sawano, K. Hamaya. Room-temperature spin transport through band-to-band tunneling at semiconductor. Physical Review Applied. 2025. 23. 5
  • M. Nagao, R. Mizoguchi, Y. Shibahara, K. Shikatake, M. Yamada, K. Hamaya, K. Sawano. Complete crack elimination in strained SiGe/Ge(111) heterostructures by pre-patterning of Si(111) substrates. Applied Physics Express. 2025. 18. 5. 055504-055504
  • Takahiro Inoue, Ayaka Odashima, Masaki Nagao, Kentarou Sawano. Drastic enhancements of direct and indirect light emissions from Ge microbridge web-structures via efficient light confinements. Applied Physics Express. 2025. 18. 1. 012001-012001
  • R. Kanesawa, S. Kikuoka, Y. Shibahara, Y. Wagatsuma, M. Yamada, K. Hamaya, K. Sawano. Fabrication of crack-free strained SiGe/Ge multiple quantum wells on Ge-on-Si(111) by the patterning method. Materials Science in Semiconductor Processing. 2024. 177. 108300-108300
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MISC (67件)：
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書籍 (6件)：
  • Geプラットフォーム上への光電子融合デバイスの集積化
    車載テクノロジー Vol. 11, No. 12, pp 22-27 2024
  • 次世代の情報通信技術に向けた シリコン上ゲルマニウム発光デバイス
    化学工業 Vol. 73, No. 3, pp 160-166 2022
  • シリコンフォトニクス光配線に向けたゲルマニウム発光素子
    光アライアンス Vol. 29, No. 5, pp 19-25 2018
  • 超低消費電力・光電子融合デバイスに向けたゲルマニウムウェハー開発
    MATERIAL STAGE, Vol.17, No.12, pp 57-62 2018
  • Silicon germanium (SiGe) nanostructures
    Woodhead Publishing 2011 ISBN:9781845696894
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講演・口頭発表等 (538件)：
  • hBN/MoS<sub>2</sub>積層構造を利用したナノ機械共振器の電気機械特性
    (応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2022)
  • Observation of photoluminous from SiGe/Ge MQW on Ge-on-Si(111)
    (ISNTT2021 2021)
  • Strong resonant light emission in strained Ge microbridges
    (ISNTT2021 2021)
  • Strong room-temperature EL emission from Ge-on-Si(111) diodes with ferromagnetic Schottky-tunnel electrodes
    (ISNTT2021 2021)
  • Suppression of crack formation and propagation in strained SiGe by patterning Ge-on-Si substrates
    (21st ICMBE 2021 2021)
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Works (9件)：
  • 科研費-超高移動度一軸歪みゲルマニウム・チャネルデバイスの開発
    2014 -
  • 科研費-歪みゲルマニウム二次元正孔ガスを用いた量子ドット単正孔デバイス開発
    2013 -
  • 科学研究費補助金-面方位と異方性歪みを同時制御した革新的ゲルマニウムチャネル開発
    2010 - 2010
  • 産業技術研究助成事業(若手研究グラント)-次世代半導体Ge チャネルを利用した超低消費電力スピントランジスタの開発
    2009 - 2010
  • 研究助成-Si/Geへテロ構造の結晶歪み制御と高速デバイス応用
    2009 - 2009
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学歴 (4件)：
  • - 2005 東京大学 工学系研究科 物理工学専攻
  • - 2002 東京大学 工学系研究科 物理工学専攻
  • 1998 - 2000 東京大学 工学部 物理工学科
  • 1996 - 1998 東京大学 教養学部 理科I類
学位 (1件)：
  • 博士(工学) (東京大学)
経歴 (8件)：
  • 2016/04 - 現在 東京都市大学 理工学部 教授
  • 2016/04 - 2026/03 青山学院大学 理工学部 電気電子工学科 非常勤講師
  • 2023/04 - 2025/03 東京大学 生産技術研究所 客員教授
  • 2012/04 - 2016/03 東京都市大学 工学部 准教授
  • 2011/04 - 2012/03 ミュンヘン工科大学 ウォルター・ショットキー研究所 客員研究員
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委員歴 (8件)：
  • 2021/04 - 現在 日本学術振興会R031ハイブリッド量子ナノ技術委員会 幹事
  • 2018/04 - 現在 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 幹事
  • 2016 - 現在 応用物理学会 結晶工学分科会 幹事
  • 2015/04 - 現在 電子デバイス界面テクノロジー研究会 プログラム委員
  • 2007/04 - 現在 応用物理学会 学術講演会 プログラム編集委員
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受賞 (4件)：
  • 2018/03 - 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 論文賞 Room-temperature spin transport in n-Ge probed by four-terminal nonlocal measurements
  • 2011/03 - 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 研究奨励賞 Strain dependence of hole effective mass and scattering mechanism in strained Ge channel structures
  • 2010 - 日本磁気学会 論文賞 高品質Fe3Si/Siからなるショットキートンネル電極を用いたシリコン中のスピン伝導の電気的検出
  • 2009 - 応用物理学会 JJAP論文奨励賞 Introduction of Uniaxial Strain into Si/Ge Heterostructures by Selective Ion Implantation
所属学会 (3件)：
応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 ,  応用物理学会 結晶工学分科会 ,  応用物理学会
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