谷田部然治

ヤタベゼンジ | Yatabe Zenji

所属機関・部署：
職名：准教授
その他の所属（所属・部署名・職名） (1件)：

ホームページURL (1件)： https://researchmap.jp/zenji.yatabe/link

研究分野 (4件)：薄膜、表面界面物性 , 電子デバイス、電子機器 , 半導体、光物性、原子物理 , 生物物理、化学物理、ソフトマターの物理

研究キーワード (4件)：化合物半導体 , 表面・界面 , ミスト化学気相成長法 , ゆらぎ

競争的資金等の研究課題 (12件)：

2023 - 2026 ミストCVD法を用いた窒化物半導体向けゲート絶縁膜堆積プロセス開発とMOSデバイス応用
2023 - 2026 Study on high-κ dielectric/regrown nitride semiconductor interfaces for high efficiency and highly-safe transistors
2024 - 2025 研究機器・設備整備
2019 - 2022 高分子溶液の流動挙動を相転移の観点から明らかにする積分変換法の提案
2019 - 2022 ミストCVD法による窒化物半導体の表面パッシベーション・絶縁ゲート構造の開発

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論文 (45件)：

Hadirah A. Radzuan, Masaya Fukumitsu, Ryota Ochi, Yusui Nakamura, Taketomo Sato, Zenji Yatabe. Low interface state density in Al₂O₃/n-GaN MOS capacitors with rapid deposition of Al₂O₃ gate insulator fabricated via mist-CVD. Japanese Journal of Applied Physics. 2025. 64. 7. 070906-1-5
Keigo Bito, Masaki Ishiguro, Hadirah A. Radzuan, Hikaru Hiroshige, Tomohiro Motoyama, Yusui Nakamura, Joel T. Asubar, Zenji Yatabe. Interface state density in mist chemical vapor deposited Al₂O₃/AlGaN/GaN structure. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 8. 080905-1-4
Ali Baratov, Shinsaku Kawabata, Shun Urano, Itsuki Nagase, Masaki Ishiguro, Shogo Maeda, Takahiro Igarashi, Toi Nezu, Zenji Yatabe, Maciej Matys, et al. Evidence of reduced interface states in Al₂O₃/AlGaN MIS structures via insertion of ex-situ regrown AlGaN layer. Applied Physics Express. 2022. 15. 10. 104002-1-5
Zenji Yatabe, Joel T. Asubar. Ornstein-Uhlenbeck process in a human body weight fluctuation. Physica A: Statistical Mechanics and its Applications. 2021. 582. 126286-1-6
Joel T. Asubar, Zenji Yatabe, Dagmar Gregusova, Tamotsu Hashizume. Controlling surface/interface states in GaN-based transistors: Surface model, insulated gate, and surface passivation. Journal of Applied Physics. 2021. 129. 12. 121102-1-28

MISC (34件)：

谷田部然治, 濵砂涼介, 平倉拓海, Thin Nu Soe, 中村有水. GaN表面のミスト熱酸化. 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス. 2025. 125. 257. 53-56
谷田部然治, 福光将也, 大竹浩史, 平倉拓海, ラズアンハディラ, 越智亮太, 中村有水, 佐藤威友. ミストCVD法を用いたGaN系MOSデバイスのゲート絶縁膜堆積技術. 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス. 2024. 124. 278. 69-72
谷田部然治, ラズアンハディラ, 尾藤圭悟, 福光将也, 越智亮太, 中村有水, 佐藤威友. ミストCVD法によるGaN系半導体向け絶縁ゲート構造の作製と評価. 電気学会研究会資料 (電子デバイス研究会). 2024. EDD-24-032. 13-17
Zenji Yatabe, Yusui Nakamura, Joel T. Asubar. Mist chemical vapor deposited-gate insulators for GaN-based MIS devices applications. 2022 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK). 2022. 1-3
Tomohiro Motoyama, Zenji Yatabe, Yusui Nakamura, Ali Baratov, Rui Shan Low, Shun Urano, Joel T. Asubar, Masaaki Kuzuhara. Mist chemical vapor deposited-Al₂O₃/AlGaN interfacial characterization for GaN MIS-HEMTs. 2021 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK). 2021. 1-2

特許 (1件)：

書籍 (1件)：

講演・口頭発表等 (229件)：

C-V characterization for evaluation of interface in Al2O3/GaN MOS capacitors with Al2O3 thin film fabricated by mist-CVD
(The 20th International Student Conference on Advanced Science and Technology 2025 (ICAST 2025) 2025)
GaN表面のミスト熱酸化
(電子情報通信学会電子デバイス研究会 2025)
ミストエッチングに向けたGaN表面のミスト熱酸化
(第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025)
GaN表面酸化に向けたミスト熱酸化プロセス
(第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025)
ミストCVD法によるGaN系MISデバイス向けAl1-xTixOyゲート絶縁膜の作製と堆積メカニズムの解明
(第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025)

学歴 (4件)：

2005 - 2008 東京農工大学大学院連合農学研究科生物工学専攻
2005 - 2006 École normale supérieure de Cachan (ENS Cachan) Laboratoire de Photophysique et Photochime Supramoléculaires et Macromoléculaire (PPSM)
2003 - 2005 東京農工大学大学院農学教育部環境資源物質科学専攻
1999 - 2003 東京農工大学農学部環境資源科学科

学位 (3件)：

経歴 (7件)：

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委員歴 (11件)：

2025 - 現在 International Workshop on Nitride Semiconductors 2026 (IWN 2026) Member of Program Committee (Electron Devices)
2025 - 現在 Compound Semiconductor Week 2026 (CSW2026) Local Arrangement, CSW Steering Committee
2024 - 現在応用物理学会学術講演会プログラム編集委員 (13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価)
2023 - 現在電気学会電子・情報・システム部門(C部門) 電子デバイス技術委員会化合物半導体を用いた次世代高機能デバイス技術とアプリケーション調査専門委員会委員
2020 - 2025 文部科学省科学技術・学術政策研究所科学技術予測・政策基盤調査研究センター専門調査員

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受賞 (2件)：

2024/12 - 熊本大学大学院先導機構 URA推進室熊本大学Top 10 研究者 2024 Citation部門、Top%部門
2016/09 - 応用物理学会第38回応用物理学会論文賞 (応用物理学会優秀論文賞) Characterization of electronic states at insulator/(Al)GaN interfaces for improved insulated gate and surface passivation structures of GaN-based transistors

所属学会 (1件)：

応用物理学会

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谷田部 然治