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J-GLOBAL ID：201002001801734463   整理番号：78A0234606

シリコンの表面自己拡散の低速電子回折による研究の可能性

О возможности исследования поверхностной самодиффузии кремния методом дифракции медленных электронов.

著者 (3件)： ОЛЬШАНЕЦКИЙ Б З ,  РЕПИНСКИЙ С М ,  ШКЛЯЕВ А А
資料名： Pis’ma Zh Ehksp Teor Fiz  (Zhurnal Ehksperimental'noj i Teoreticheskoj Fiziki)
巻： 27  号： 7  ページ： 403-405  発行年： 1978年 
JST資料番号： R0238A  ISSN： 0370-274X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： シリコンの表面自己拡散によっておこる結晶構造の変化を低速電子...

シソーラス用語： 低速電子回折 ,...

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タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  自己拡散 ,  低速電子回折 ,  研究 ,  可能性