自己整合ゲートFETに対するドーピング多結晶Si拡散源

文献

J-GLOBAL ID：201002001884541807 整理番号：77A0330171

Doped polysilicon diffusion source for self-aligned gate field-effect transistor.

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資料名：
巻： 20 号： 1 ページ： 272-273 発行年： 1977年
JST資料番号： E0292B ISSN： 0018-8689 CODEN： IBMTA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：解説発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ゲート領域に対する300ÅのSi<sub>3</sub>N<...

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