文献
J-GLOBAL ID:201002002639265400
整理番号:79A0190571
シリコンに炭素イオンを注入して得られるSiC-Si構造の光学的および光電的性質
Оптические и фотоэлектрические свойства структуры SiC-Si, полученной при имплантации ионов углерода в кремний.
-
出版者サイト
複写サービスで全文入手
{{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=79A0190571©=1") }}
-
高度な検索・分析はJDreamⅢで
{{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=79A0190571&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=R0267A") }}