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J-GLOBAL ID：201002003137810621   整理番号：78A0326673

陽電子消滅法を用いた半導体触媒表面状態の研究

Semiconductor catalyst surface state investigation by positron annihilation method.
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著者 (4件)：
ARIFOV P U

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ILYASOV A Z

ILYASOV A Z について

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MIKHAILIN A V

MIKHAILIN A V について

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TOLPEGINA L S

TOLPEGINA L S について


資料名：
Int Vac Congr  (Proceedings. International Vacuum Congress 7th 770912 Vol.1-3)

Int Vac Congr について


巻： 7th  号： 3  ページ： 2633-2636  発行年： 1977年 
JST資料番号： K19770176  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： オーストリア (AUT)  言語： 英語 (EN)
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陽電子を用いた方法で酸化物半導体触媒の構造と表面状態を研究し...
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表面

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