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J-GLOBAL ID：201002005383273026   整理番号：76A0040338

GaCl/NH₃/He系を用いた非化学量論的組成のスピネル基板上におけるGaNのエピタキシー

Zur Epitaxie von Galliumnitrid auf nichtstoechiometrischem Spinell im System GaCl/NH₃/He.

著者 (4件)： TEMPEL A ,  SEIFERT W ,  HAMMER J ,  BUTTER E
資料名： Krist Tech  (Kristall und Technik)
巻： 10  号： 7  ページ： 747-758  発行年： 1975年 
JST資料番号： B0738A  ISSN： 0023-4753  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 東ドイツ (DDR)  言語： ドイツ語 (DE)

抄録/ポイント： Heガス中の{111}および{100}スピネル基板上で,Ga...

シソーラス用語： エピタクシー ,...

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タイトルに関連する用語 (6件)： NH3 ,  He ,  組成 ,  スピネル ,  GaN ,  エピタキシー