文献

J-GLOBAL ID：201002005996536518   整理番号：75A0113946

シリコン中のりん拡散に及ぼす表面効果の確認

The confirmation of the surface effect upon phosphorus diffusion into silicon.

著者 (3件)： MATSUMOTO S ,  YOSHIDA M ,  NIIMI T
資料名： Jap J Appl Phys  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 13  号： 11  ページ： 1899-1900  発行年： 1974年 
JST資料番号： G0520A  CODEN： JJAPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 比抵抗1 Ωcmのp型Si単結晶基板上に,PドープSiO<s...

シソーラス用語： 不純物拡散 ,...

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引用文献 (4件)：

• 1) M. Yoshida, E. Arai, H. Nakamura and Y. Terunuma: J. appl. Phys. 45 (1974) 1948.
• 2) R. N. Ghoshtagore: Phys. Rev. B3 (1971) 389.
• 3) J. C. Irvin: Bell syst. tech. J. 41 (1962) 387.
• 6) T. J. Parker: J. appl. Phys. 38 (1967) 3471.

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  りん ,  拡散 ,  表面効果