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J-GLOBAL ID:201002007653602216   整理番号:79A0282098

電離放射線のもとでの半導体素子の特性

Comportement des semi-conducteurs soumis aux radiations ionisantes.
著者 (1件):
資料名:
号: 443  ページ: 49-52  発行年: 1979年 
JST資料番号: H0268A  ISSN: 0040-9855  CODEN: TOELA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: フランス (FRA)  言語: フランス語 (FR)
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高エネルギの放射線は半導体中に格子欠陥を生じ,抵抗値,不純物...
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