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J-GLOBAL ID：201002008025867959   整理番号：77A0352241

シリコン中へのりんの拡散時におけるバルク中の過剰空位の分布

The distribution of the excess vacancies in the bulk at the diffusion of phosphorus into silicon.

著者 (4件)： MATSUMOTO S ,  ARAI E ,  NAKAMURA H ,  NIIMI T
資料名： Jpn J Appl Phys  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 16  号： 7  ページ： 1177-1185  発行年： 1977年 
JST資料番号： G0520A  CODEN： JJAPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 900および1100°Cでのりん拡散で発生するシリコンバルク...

シソーラス用語： 点欠陥 ,...

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タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  りん ,  拡散 ,  バルク ,  分布