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J-GLOBAL ID：201002008419693492 整理番号：79A0317328
小MOSFET素子の形状効果
Geometry effects of small MOSFET devices.
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GAENSSLEN F H
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資料名：
Tech Dig Int Electron Devices Meet (International Electron Devices Meeting)
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巻：
1977
ページ：
512-515
発行年：
1977年
JST資料番号：
C0829B
資料種別：
会議録 (C)
記事区分：
原著論文
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
言語：
英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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標準の反転チャネル素子の形状は長四角形であるので,2種の形状...
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