CVDによる6H-SiCのエピタキシャル層の成長と形態

文献

J-GLOBAL ID：201002011489703780 整理番号：79A0118948

Growth and morphology of 6H-SiC epitaxial layers by CVD.

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資料名：
巻： 45 ページ： 144-149 発行年： 1978年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 CODEN： JCRGA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

SiCl₄-C₃...

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