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J-GLOBAL ID：201002011567065396   整理番号：75A0197031

ヘリウムイオン後方散乱を使ったRFスパッタ・エッチSi表面の研究

An investigation of RF sputter etched silicon surfaces using helium ion backscatter.

著者 (3件)： SACHSE G W ,  MILLER W E ,  GROSS C
資料名： Solid-State Electron  (Solid-State Electronics)
巻： 18  号： 5  ページ： 431-435  発行年： 1975年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  CODEN： SSELA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siの(111)表面のRFスパッタ・エッチングの効果をSiの...

シソーラス用語： イオン衝突 ,...

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タイトルに関連する用語 (5件)： ヘリウム ,  RFスパッタ ,  エッチ ,  Si ,  研究