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J-GLOBAL ID：201002012056956531   整理番号：78A0027963

高エネルギーでけい素とひ化ガリウムに植え込まれたほう素およびけい素に植え込まれたひ素走査イオンマイクロプローブによる定量

Profils d’implantation a haute <span style=text-decoration:overline>e ́</span>nergie de bore dans le silicium et l’ars<span style=text-decoration:overline>e ́</span>niure de gallium, d’arsenic dans le silicium par microanalyse ionique.

著者 (1件)： GAUNEAU M
資料名： Analusis  (Analusis)
巻： 5  号： 8  ページ： 357-365  発行年： 1977年 
JST資料番号： B0276B  ISSN： 0009-4331  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： フランス (FRA)  言語： フランス語 (FR)

抄録/ポイント： 半導体中への元素の植え込みと拡散の様子を知ることは電気的な現...

シソーラス用語： ひ化ガリウム ,...

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タイトルに関連する用語 (8件)： 高エネルギー ,  けい素 ,  ひ化ガリウム ,  ほう素 ,  ひ素 ,  走査 ,  イオンマイクロプローブ ,  定量