文献

J-GLOBAL ID：201002012945333406   整理番号：80A0186829

活性化反応性蒸着(ARE)によるハフニウム窒化膜の高速度蒸着

High rate deposition of hafnium nitride by activated reactive evaporation (ARE).

著者 (2件)： NIMMAGADDA R (Univ. California) ,  BUNSHAH R F (Univ. California)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 63  号： 2  ページ： 327-331  発行年： 1979年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  CODEN： THSFA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒素ガス中で電子ビーム蒸着し,X線回折と微小硬度測定,表面と...

シソーラス用語： スパッタリング法 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=80A0186829&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0899A") }}

タイトルに関連する用語 (6件)： 活性化反応性蒸着 ,  ARE ,  ハフニウム ,  窒化膜 ,  高速度 ,  蒸着