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J-GLOBAL ID：201002016192438876   整理番号：77A0169668

効率の改善された多層イオン注入BARITTダイオード

Multilayered ion-implanted BARITT diodes with improved efficiency.
著者 (3件)：
EKNOYAN O

EKNOYAN O について

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YANG E S

YANG E S について

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SZE S M

SZE S M について


資料名：
Solid-State Electron  (Solid-State Electronics)

Solid-State Electron について


巻： 20  号： 4  ページ： 291-295  発行年： 1977年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  CODEN： SSELA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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イオン注入技術を用いて,Siから多層n<sup>+</sup...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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BARITTダイオード

BARITTダイオード について

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多層

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イオン注入

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BARITTダイオード

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