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J-GLOBAL ID：201002016700207117   整理番号：78A0116030

高抵抗のInAs:Cr中の深い準位のエネルギー的位置

Энергетическое положение глубоких уровней в высокоомном InAs:Cr.

著者 (3件)： БАЛАГУРОВ Л А ,  ОМЕЛЬЯНОВСКИЙ Э М ,  ФИСТУЛЬ В И
資料名： Fiz Tekh Poluprovo  (Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov)
巻： 11  号： 12  ページ： 2387-2388  発行年： 1977年 
JST資料番号： R0267A  ISSN： 0015-3222  CODEN： ETPPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： ρ=1.1Ωcm,n=8×10¹⁴cm...

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...

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タイトルに関連する用語 (4件)： InAs ,  Cr ,  深い準位 ,  エネルギー