ひ化ガリウム型バンド構造をもつ半導体におけるホットルミネッセンスの直線偏光について

ДЫМНИКОВ В Д

文献

J-GLOBAL ID：201002017007902037 整理番号：77A0370168

ひ化ガリウム型バンド構造をもつ半導体におけるホットルミネッセンスの直線偏光について

О линейной поляризации горячей люминесценции в полупроводниках с зонной структурой арсенида галлия.

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資料名：
巻： 11 号： 8 ページ： 1478-1486 発行年： 1977年
JST資料番号： R0267A ISSN： 0015-3222 CODEN： ETPPA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：旧ソビエト連邦 (SUN) 言語：ロシア語 (RU)

GaAs型のバンド構造を持つp型の半導体における熱い担体が関...

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