熱酸化SiO<sub>2</sub>膜中の正孔と電子トラップ密度を減少する方法

文献

J-GLOBAL ID：201002018484540097 整理番号：79A0280351

熱酸化SiO₂膜中の正孔と電子トラップ密度を減少する方法

A method for reducing the hole and electron trapping densities in thermal SiO₂ films.

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資料名：
巻： 126 号： 6 ページ： 1078-1080 発行年： 1979年
JST資料番号： C0285A ISSN： 0013-4651 CODEN： JESOA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

半導体の絶縁膜中の電荷のトラッピングはVLSI回路の微細化を...

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