中性子および1.5MeVの電子の照射を受けたシリコンの吸収端近傍の吸収

ГРОЗА А А; ХИВРИЧ В И

文献

J-GLOBAL ID：201002018746803370 整理番号：79A0280229

中性子および1.5MeVの電子の照射を受けたシリコンの吸収端近傍の吸収

Околокраевое поглощение в кремнии, облученном нейтронами и 1.5 МэВ электронами.

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巻： 13 号： 5 ページ： 870-874 発行年： 1979年
JST資料番号： R0267A ISSN： 0015-3222 CODEN： ETPPA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：旧ソビエト連邦 (SUN) 言語：ロシア語 (RU)

10¹⁹/cm²...

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