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J-GLOBAL ID：201002020320309836   整理番号：78A0115706

無定形半導体における局在状態とドーピング

Localized states and doping in amorphous semiconductors.
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著者 (1件)：
FRITZSCHE H

FRITZSCHE H について


資料名：
Int Conf Amorphous Liq Semicond  (Amorphous and Liquid Semiconductors)

Int Conf Amorphous Liq Semicond について


巻： 7th  ページ： 3-15  発行年： 1977年 
JST資料番号： K19770105  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)
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ここ2年間,この分野で見られた著しい発展,特に局在状態の知見...
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局在状態

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無定形

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局在状態 について

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ドーピング について


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