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J-GLOBAL ID：201002021071646785   整理番号：80A0089965

半絶縁性基板上のGaAsエピタキシャル層の電場分布

R<span style=text-decoration:overline>e ́</span>partition du champ <span style=text-decoration:overline>e ́</span>lectrique dans les couches <span style=text-decoration:overline>e ́</span>pitaxiales d’ars<span style=text-decoration:overline>e ́</span>niure de gallium sur substrat semi-isolant.

著者 (3件)： TRANDUC H (Lab. Automatique et d’Analyse des Systemes du C.N.R.S., Toulouse) ,  GRAFFEUIL J (Lab. Automatique et d’Analyse des Systemes du C.N.R.S., Toulouse) ,  ROSSEL P (Lab. Automatique et d’Analyse des Systemes du C.N.R.S., Toulouse)
資料名： C R Hebd Seances Acad Sci Ser A Ser B  (Comptes Rendus Hebdomadaires des Seances de l'Academie des Sciences. Serie A. Sciences Mathematiques, Serie B. Sciences Physiques)
巻： 289  号： 4  ページ： B.91-B.94  発行年： 1979年 
JST資料番号： B0303B  ISSN： 0151-0509  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： フランス (FRA)  言語： フランス語 (FR)

抄録/ポイント： 試料長さ方向の電位分布を多数のプローブ電極で測定。両極間電圧...

シソーラス用語： 空間電荷 ,...

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タイトルに関連する用語 (4件)： 半絶縁性基板 ,  GaAs ,  エピタキシャル層 ,  電場分布