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J-GLOBAL ID：201002022346548734   整理番号：79A0147702

電子ビームを用いた高濃度添加エミッタ構造における寿命分布の測定

Lifetime profile measurements in heavily doped emitter structures using electron beams.

著者 (3件)： POSSIN G E ,  ADLER M S ,  BALIGA B J
資料名： Tech Dig Int Electron Devices Meet  (International Electron Devices Meeting)
巻： 1978  ページ： 324-327  発行年： 1978年 
JST資料番号： C0829B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 添加量の大きなエミッタ構造における少数キャリア寿命の深さ方向...

シソーラス用語： キャリア寿命 ,...

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タイトルに関連する用語 (4件)： 電子ビーム ,  高濃度 ,  エミッタ ,  寿命分布