文献

J-GLOBAL ID：201002024076524334   整理番号：77A0193608

3値COS/MOS記憶の設計と順序回路

Design of ternary COS/MOS memory and sequential circuits.

著者 (2件)： MOUFTAH H T ,  JORDAN I B
資料名： IEEE Trans Comput  (IRE Transactions on Electronics Computers)
巻： 26  号： 3  ページ： 281-288  発行年： 1977年 
JST資料番号： C0233A  ISSN： 0018-9340  CODEN： ITCOB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子回路技術の進歩から多値素子の研究が進んできた。COS/M...

シソーラス用語： 三値論理 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=77A0193608&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0233A") }}

タイトルに関連する用語 (5件)： 3値 ,  COS ,  MOS ,  設計 ,  順序回路