文献
J-GLOBAL ID:201002025064032890
整理番号:79A0104153
Si3N4薄膜を通したイオン注入後のSi中の注入種と反跳Nの濃度分布
The concentration profiles of projectiles and recoiled nitrogen in Si after ion implantation through Si3N4 films.
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{{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=79A0104153©=1") }}
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{{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=79A0104153&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}