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J-GLOBAL ID：201002025972768478   整理番号：77A0300553

Ga(CH3)3-AsH3-H2系におけるGaAsのエピタキシャル成長機構

Механизм эпитаксиального роста GaAs в системе Ga(CH3)3-AsH3-H2.
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著者 (4件)：
ФРОЛОВ И А

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БОЛДЫРЕВСКИЙ П Б

БОЛДЫРЕВСКИЙ П Б について

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ДРУЗЬ Б Л

ДРУЗЬ Б Л について

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СОКОЛОВ Е Б

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資料名：
Izv Akad Nauk SSSR Neorg Mater  (Izvestiya Akademii Nauk SSSR. Neorganicheskie Materialy)

Izv Akad Nauk SSSR Neorg Mater について


巻： 13  号： 5  ページ： 773-775  発行年： 1977年 
JST資料番号： R0254A  CODEN： IVNMA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)
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ひ化ガリウム

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